激光技術的不斷發展，越來越被廣泛地應用于多個領域，因此市場對激光產品的要求也越來越高，普通的激光器產品開始無法滿足行業客戶的需要，這也催使激光器生產商開始研制出更好更先進的激光器，近日，深圳瑞波光電子有限公司就在調查市場要求的基礎上推出了新一代的激光器產品-880nm QCW 300W半導體激光器Bar條。

    近年來，隨著“中國制造2025”計劃的繼續推進，激光技術在消費電子、智能裝備、PCB、機器人、人工智能、LED激光加工等領域的應用不斷加深，2017年我國激光加工市場規模近500億元，同比增長超28%，預計2018年激光市場規模將達600億元，市場發展前景看好。尤其在精細微加工方面，激光在光伏、液晶顯示、半導體、OLED等領域的鉆孔、刻線、劃槽、表面處理等環節發揮了不可替代的作用，正成為引領產業發展的重要一極。
    針對微加工領域的固體激光擁有天然的優勢。消費電子類產品的強勢和新技術研發定會向激光加工提出更高的要求，而固體激光器的特性使得其在與光纖激光器、二氧化碳激光器等的競爭中保持領先地位。在各類激光微加工應用中，微電子品打標和芯片微加工仍占有主要地位；國內3D打印技術發展態勢較好，仍有巨大的升值空間；與此同時，UV激光打標將會成為標識行業的新增長點。另外，隨著二極管泵浦技術的發展，高光束質量、高功率的MOPA結構變得簡單，固態激光器在直接探測和相干探測等各類軍用雷達方面應用日趨廣泛。瑞波光電新推出的880nm QCW 300W半導體激光器巴條（Bar）將主要用于軍用測距雷達固體激光器泵浦，以及民用固體激光器的泵浦應用。
    相比CW, QCW激光二極管巴條的峰值功率會更高。另外，多個高峰值功率QCW巴條封裝在同一個區域。這些巴條就可以看作單個的CW巴條，因為每個巴條在QCW模式運行時，更低的平均熱量損失。這些因素，再加上能夠組裝更加緊湊的二極管陣列，從而可以在QCW模式運行下，獲得非常高的峰值功率。再者，QCW泵浦可以減少激光增益物質的熱量，從而有效的降低熱聚束效應，提高激光的光束質量。
    據了解，瑞波光電新研制的808nm QCW 激光bar光電效率提升到65%，輸出功率為300W，填充因子：72%，腔長：1500μm，非常適合應用于上述精細加工領域的固態激光器泵浦和紫外激光器。
    除此之外，瑞波光電為滿足固體激光器對光纖耦合模塊泵浦源的迫切需求，還推出了808nm波長的 190μm條寬的連續功率10W高亮度芯片，腔長4mm，以及880nm波長的 350μm條寬的連續功率10W芯片，腔長2.5mm。

圖2：808nm 190?m發光區域寬度、4mm腔長的芯片，封裝為COS后在10W連續輸出功率下的長期老化測試情況， 7個COS器件的老化時間累計超過2.8萬器件小時，無器件失效而且功率穩定。該芯片的COD功率超過18W。

    技術的不斷發展進步促使著經濟的迅速前進，同時，經濟的快速增長反過來也對技術提出更高的要求，激光企業要想在市場中處于不敗之地，在激烈的市場競爭中獲勝，就必須鉆研出領先的獨特的核心激光技術，這也是瑞波光電不斷持續發展主要原因。

關于瑞波光電
  深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學研究院、國內外技術專家共同創辦的從事大功率半導體激光器芯片研發和生產的高科技企業，擁有從半導體激光芯片外延設計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片，封裝模塊及測試表征設備，并可提供研發咨詢服務。
  公司芯片產品形式包括單管芯片（single-emitter） 和bar條，功率從瓦級到數百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達到國內領先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)和CCP等；表征測試設備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等。
  公司產品廣泛應用于工業加工、醫療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領域。公司的發展目標是填補中國在大功率半導體激光器芯片領域的空白，成為世界一流的半導體激光器供應商，為我國現代化生產和科學研究做出貢獻。
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