3月25日，由瑞波光電牽頭承擔的國家重點研發計劃“新型顯示與戰略性電子材料”重點專項“高功率密度905nm多結半導體激光芯片”項目啟動暨實施方案論證會在華南理工大學順利召開。 

   會議邀請到廣東省科技廳產學研結合處劉志輝副處長、廣州市科技局孟徽副局長，項目專家組華南師范大學/華南理工大學楊中民教授、中國科學院大學樊仲維教授、清華大學柳強教授、西南技術物理研究所余麗波研究員、杭州光學精密機械研究所張晶研究員、中國科學院物理研究所魏志義研究員、 華東師范大學曾和平教授、中國科學技術大學姜海峰研究員、中國科學院半導體研究所林學春研究員、東北師范大學王鵬飛教授、山西大學鄭耀輝教授、華南師范大學周桂耀教授，以及項目骨干約30人參加了本次會議。

    項目負責人胡海博士從項目背景、研究內容、實施方案、預期目標等方面進行了全面匯報，詳細闡述通過“外延設計-芯片-器件-驗證”全鏈條協同創新，突破波長穩定量產工藝難點，雜散光難題等技術瓶頸，研制功率大于120W、高功率密度、波長穩定、高光束質量的905nm 半導體激光芯片, 為新型激光雷達和測距傳感應用提供核心器件。

    專家組認真聽取項目負責人匯報、審閱實施方案，并進行質詢討論后，一致認為項目以創新的多隧道結技術實現器件性能的優化、新穎的光束限制結構的技術路線具有顯著前瞻性、波長穩定技術提升了測距能力降低了功耗，并建議項目組在實施過程中建立技術指標動態優化機制與協同創新機制，強化多個應用場景落地，助力項目高效完成。胡海代表項目組表示將全面落實專家組建議，建立完善的項目管理與協調機制，把控細節，確保階段與總體目標的如期完成。
  

    “高功率密度905nm多結半導體激光芯片” 項目于2024年12月立項，由深圳瑞波光電子有限公司承擔。“新型顯示與戰略性電子材料”重點專項重點支持相關重要科學前沿或我國科學家取得原創突破，應用前景明確，有望產出具有變革性影響技術原型，對經濟社會發展產生重大影響的前瞻性、原創性的基礎研究和前沿交叉研究。