項目基本情況
序號 | 內 容 | 說明與要求 |
1 | 項目名稱 | 電感耦合等離子刻蝕（ICP-RIE）系統采購項目 |
2 | 項目概況 | 本項目為電感耦合等離子刻蝕（ICP-RIE）系統采購項目 |
3 | 招標人 | 深圳瑞波光電子有限公司 |
4 | 招標方式 | 公開招標 |
5 | 最高投標限價 | 預算含稅價為RMB 3600000元（人民幣 叁佰陸拾萬元） 各投標人的投標報價均不得高于此預算，高于此預算的投標報價將被視為無效報價。 |
6 | 資金來源 | 政府經費 |
7 | 交期和收貨地點 | 交期：合同簽訂后6個月內，需完成交貨、安裝調試并驗收合格。 收貨地點：深圳市龍華區大浪街道浪口社區華榮路496號德泰工業區10棟 |
8 | 付款方式 | 簽訂合同后預付30%+設備發貨前支付60%+設備到廠驗收完成后支付10% |
9 | 驗收要求 | 詳見電感耦合等離子刻蝕（ICP-RIE）系統招標技術要求（第10頁） |
10 | 質保期 | 除專用合同條款和（或）供貨要求等合同文件另有約定外，合同設備整體質量保證期為驗收之日起12個月。如對合同設備中關鍵部件的質量保證期有特殊要求的，供需雙方可在專用合同條款中約定 |
11 | 包裝要求 | 符合產品運輸要求 |
12 | 運輸要求 | 運輸費用由供應商負責。應有良好的防濕、防銹、防潮、防雨、防腐及防碰撞的措施。凡由于包裝不良造成的損失和由此產生的費用均由投標方承擔。 |
13 | 招標范圍 | 本次招標的標的為1套電感耦合等離子刻蝕（ICP-RIE）系統。項目包括：設計、制造、配套、運輸、安裝、調試、服務、技術培訓、驗收合格交付使用及質保期內的服務等一體化招標工程。 |
14 | 投標人資格要求 | （1）投標人應在中華人民共和國境內注冊并具有獨立的法人資格； （2）響應人具有健全的財務會計制度及良好的財務狀況； （3）投標人自2021年1月1日至今，承擔過1項與本項目類似的單項合同額300萬及以上的業績。業績證明材料：合同或訂單【類似業績：提供采購合同或訂單，時間以簽訂時間為準】 （4）具有依法繳納稅收和社會保障資金的良好記錄； 稅收繳納證明：提供投標文件遞交時間前一年內任意3個月的納稅證明或完稅證明，依法免稅的單位應提供相關證明材料； 社會保障資金繳納證明：提供投標文件遞交時間前一年內任意3個月的社會保障資金繳存單據或社保機構開具的社會保險參保繳費情況證明，依法不需要繳納社會保障資金的單位應提供相關證明材料。 （5）最近三年內沒有騙取中標和嚴重違約等重大違法記錄。（自擬格式進行承諾說明）并提 供 通 過“ 信 用 中 國 ” 網 站（www.creditchina.gov.cn）查詢相關主體無失信記錄（網站查詢的截圖加蓋投標人公章，查詢時間為公告發布之日起至投標文件遞交截止時間）； （6）是否接受聯合體投標：不接受。 （7）未盡事宜，遵照法律法規及其他相關規定執行。 |
15 | 是否接受分包 | 不接受設備分包 （備注：涉及設備到廠后的安裝工程類可分包） |
16 | 質疑提交 | 時間：2025年1月18日 18:00前； |
17 | 投標有效期 | 30 日（從投標截止之日算起） |
18 | 投標保證金 | 本次項目無投標保證金 |
19 | 投標文件份數 | 正本1份，副本1份，投標文件電子版1份（加蓋投標人單位公章） |
20 | 說 明 | 招標項目的潛在投標人應采取書面方式提交報名材料，無須到現場申領。獲取招標文件后，投標方須于2025年1月22日12:00點前提交投標文件（正式報價單、方案書、營業執照、公司介紹等） |
21 | 開標時間地點 | 線下開標： 時間： 2025年1月24日14:00，投標文件同時送達。 開標地點：深圳市龍華區大浪街道浪口社區華榮路496號德泰工業區10棟4樓會議室。 |
22 | 評標辦法 | 詳見招標文件第11~13頁共3頁 |
23 | 合同簽訂 | 中標人在收到中標通知后15個工作日內簽訂合同（遇法定節假日順延合同簽訂時間） 備注：中標者必須于30日內提供 ICP-RIE設備的所有廠務需求規格 |
24 | 保密要求 | 根據甲方對敏感信息管控事宜的有關要求，無條件履行相關保密義務 |
25 | 招標人 聯系方式 | 聯系人：陶小芳 電話：0755-86566695/15218710786 |
電感耦合等離子刻蝕（ICP-RIE）系統招標技術要求
1. 用于化合物半導體材料干法刻蝕，如：GaAs基材料系、InP基材料系干法刻蝕；
2. 載片量：可一次載入3片3英寸晶圓片；配置單工位和3工位載盤；
3. 電極溫度：(0℃ or RT)-250℃；偏置RF功率≥600W，ICP RF刻蝕功率 ≥1000W；
4. 10路制程氣路： 7路非腐蝕性氣體（MFC） CH4/H2/SF6/O2/Ar/PN2，1路備用；
3路腐蝕性氣體（MFC） Cl2/BCl3/HBr；
5. 終點偵測系統：含光發射譜終點偵測儀（OES-EPD）和激光干涉終點監測儀（LI-EPD）；
6. 自動工藝控制軟件，友好的recipe編輯頁面；
7. 制程要求：HBr蝕刻氣體，蝕刻GaAs/AlGaAs和GaInP/AlInP外延材料，
1. Ridge蝕刻（深度約1.5 um）形貌：蝕刻區域底部光滑，
無undercut，無notching，無subtrench，footing輕微（＜10%）；
2. 蝕刻深度非均勻性：3”wafer片內 ≤±3%，3片3”wafer片間≤±5%
（±非均勻性=± Max-Min）/(2*Average)*100%）
8. 設備適合穿墻（潔凈室彩鋼板）安裝；供應商提供詳細廠務需求表；
附加審核條件：凡參與投標者，須提供充分資料滿足瑞波的疑問。
具體內容詳見附件：
電感耦合等離子刻蝕（ICP-RIE）系統-招標項目書-深圳市大功率半導體激光芯片工程研究中心組建項目-2025年1月8日.docx
